半导体物理与器件原理是研究半导体材料的物理性质以及基于半导体材料制造的电子器件的工作原理的学科。

半导体物理研究的对象是半导体材料的电子结构、能带理论、载流子运动、载流子复合等物理现象。半导体材料是一类电阻率介于导体和绝缘体之间的材料，具有特殊的电子能带结构。半导体物理研究的目的是理解半导体材料的导电机制和光电性质，为半导体器件的设计和制造提供理论依据。

半导体器件原理研究的是基于半导体材料制造的各种电子器件的工作原理。常见的半导体器件包括二极管、晶体管、场效应管、光电二极管、太阳能电池等。这些器件的工作原理涉及到半导体材料的电子结构、载流子运动、能带弯曲等物理现象，以及电场、磁场、光照等外部条件对器件性能的影响。

半导体物理与器件原理的研究对于现代电子技术的发展和应用至关重要。半导体器件的小尺寸、高速度和低功耗等特性使其成为现代电子产品中的核心组成部分，如计算机、手机、平板电脑等。深入理解半导体物理与器件原理有助于开发新型的高性能、低能耗的电子器件，并推动电子技术的进一步发展。

          课程目录
[1.2.1]--1.1.1晶体的基本特点.mp4
[1.3.1]--1.1.2原子的周期性阵列.mp4
[1.4.1]--1.1.3点阵的基本类型.mp4
[1.5.1]--1.1.4晶面指数系统.mp4
[1.6.1]--1.1.5常见晶体结构范例.mp4
[1.8.1]--1.2.1倒易点阵.mp4
[1.9.1]--1.2.2布里渊区.mp4
[1.10.1]--1.2.3倒易点阵的范例.mp4
[1.12.1]--1.3.1一维情况下的能级和轨道密度.mp4
[1.13.1]--1.3.2温度对费米－狄喇克分布的影响.mp4
[1.14.1]--1.3.3三维情况下的自由电子气.mp4
[1.16.1]--1.4.1布喇格定律.mp4
[1.17.1]--1.4.2近自由电子模型.mp4
[1.18.1]--1.4.3能隙的起因.mp4
[1.19.1]--1.4.4布洛赫函数.mp4
[1.20.1]--1.4.5克朗尼格－朋奈模型.mp4
[1.21.1]--1.4.6能带中轨道的数目.mp4
[1.23.1]--1.5.1能带隙.mp4
[1.24.1]--1.5.2重要半导体材料Si单晶的介绍.mp4
[2.2.1]--2.1.1半导体中E-k的关系.mp4
[2.3.1]--2.1.2半导体中电子的平均速度.mp4
[2.4.1]--2.1.3半导体中电子的加速度.mp4
[2.5.1]--2.1.4有效质量的意义.mp4
[2.7.1]--2.2.1空穴.mp4
[2.8.1]--2.2.2本征半导体的导电机构.mp4
[2.10.1]--2.3.1一般情况下的等能面方程.mp4
[2.12.1]--2.4.1硅的能带结构.mp4
[2.13.1]--2.4.2锗的能带结构.mp4
[2.14.1]--2.4.3能带结构与温度的关系.mp4
[3.2.1]--3.1.1替位式杂质和间隙式杂质.mp4
[3.3.1]--3.1.2施主杂质_施主能级_受主杂质_受主能级.mp4
[3.4.1]--3.1.3杂质浅能级电离能的简单计算.mp4
[3.5.1]--3.1.4杂质的补偿作用.mp4
[3.6.1]--3.1.5深能级杂质.mp4
[3.8.1]--3.2.1GaAs中的杂质.mp4
[3.10.1]--3.3.1点缺陷.mp4
[3.11.1]--3.3.2线缺陷-位错.mp4
[4.2.1]--4.1.1复习三维情况下的自由电子气.mp4
[4.3.1]--4.1.2状（能）态密度的定义.mp4
[4.4.1]--4.1.3状（能）态密度的汇总.mp4
[4.6.1]--4.2.1费米分布函数f(E).mp4
[4.7.1]--4.2.2导带电子和价带空穴浓度.mp4
[4.9.1]--4.3.1本征载流子浓度ni.mp4
[4.10.1]--4.3.2本征半导体的费米能级位置.mp4
[4.12.1]--4.4.1非补偿情形（单一杂质）1.mp4
[4.12.2]--4.4.1非补偿情形（单一杂质）2.mp4
[4.14.1]--4.5.1简并的出现.mp4
[4.15.1]--4.5.2简并半导体的载流子浓度.mp4
[4.16.1]--4.5.3简并化条件.mp4
[4.17.1]--4.5.4简并时杂质的电离.mp4
[5.2.1]--5.1.1电导的微观理论.mp4
[5.3.1]--5.1.2半导体的电导率和迁移率.mp4
[5.5.1]--5.2.1散射几率_平均自由时间及其与迁移率的关系.mp4
[5.6.1]--5.2.2载流子的主要散射机制.mp4
[5.8.1]--5.3.1迁移率与杂质浓度和温度的关系.mp4
[5.9.1]--5.3.2电阻率与杂质浓度的关系.mp4
[5.11.1]--5.4.1欧姆定律的偏离和热载流子.mp4
[6.2.1]--6.1.1非平衡载流子的产生.mp4
[6.3.1]--6.1.2附加光电导现象.mp4
[6.4.1]--6.1.3非平衡载流子的复合.mp4
[6.5.1]--6.1.4非平衡载流子的产生.mp4
[6.7.1]--6.2.1准平衡.mp4
[6.8.1]--6.2.2准费米能级.mp4
[6.10.1]--6.3.1复合的分类.mp4
[6.11.1]--6.3.2直接复合.mp4
[6.12.1]--6.3.3间接复合.mp4
[6.13.1]--6.3.4表面复合.mp4
[6.15.1]--6.4.1陷阱现象.mp4
[6.16.1]--6.4.2成为陷阱的条件.mp4
[6.18.1]--6.5.1一维扩散方程.mp4
[6.19.1]--6.5.2一维扩散方程的稳态解.mp4
[6.20.1]--6.5.3扩散电流.mp4
[6.22.1]--6.6.1浓度梯度引起的自建电场.mp4
[6.23.1]--6.6.2爱因斯坦关系.mp4
[6.25.1]--6.7.1连续性方程.mp4
[6.26.1]--6.7.2连续性方程的特例情况.mp4
[7.2.1]--7.1.1p-n结的形成及杂质分布.mp4
[7.3.1]--7.1.2空间电荷区.mp4
[7.4.1]--7.1.3平衡p-n结能带图.mp4
[7.5.1]--7.1.4p-n结接触电势差.mp4
[7.6.1]--7.1.5p-n结的载流子分布.mp4
[7.8.1]--7.2.1p-n结中的电场和电势分布.mp4
[7.9.1]--7.2.2非平衡p-n结的能带图.mp4
[7.10.1]--7.2.3理想p-n结的J-V关系.mp4
[7.11.1]--7.2.4理想p-n结J-V关系的特性.mp4
[7.12.1]--7.2.5理想p-n结J-V关系的修正.mp4
[7.14.1]--7.3.1势垒电容.mp4
[7.15.1]--7.3.2扩散电容_(正向偏压).mp4
[7.17.1]--7.4.1雪崩击穿.mp4
[7.18.1]--7.4.2齐纳击穿（隧道击穿）.mp4
[7.20.1]--7.5.1Esaki_二极管.mp4
[8.2.1]--8.1.1功函数和电子亲合能.mp4
[8.3.1]--8.1.2接触电势差.mp4
[8.4.1]--8.1.3表面态对接触势垒的影响.mp4
[8.5.1]--8.1.4势垒区的电势分布.mp4
[8.6.1]--8.1.5肖特基接触的势垒电容.mp4
[8.8.1]--8.2.1热电子发射理论.mp4
[8.9.1]--8.2.2镜像力影响.mp4
[8.10.1]--8.2.3隧道效应影响.mp4
[8.11.1]--8.2.4pn结和肖特基势垒二极管.mp4
[8.13.1]--8.3.1少子注入.mp4
[8.14.1]--8.3.2欧姆接触.mp4
[9.1.1]--9.1晶体管的发明.mp4
[9.2.1]--9.1.1晶体管的基本结构.mp4
[9.3.1]--9.1.2制造工艺.mp4
[9.4.1]--9.1.3杂质分布.mp4
[9.6.1]--9.2.1放大条件.mp4
[9.7.1]--9.2.2电流传输.mp4
[9.8.1]--9.2.3共基极电流放大系数.mp4
[9.9.1]--9.2.4共射极电流放大系数.mp4
[9.11.1]--9.3.1晶体管中的少子分布.mp4
[9.12.1]--9.3.2理想晶体管的电流-电压方程.mp4
[9.13.1]--9.3.3放大系数表达式.mp4
[9.14.1]--9.3.4理想晶体管的输入、输出特性.mp4
[9.15.1]--9.3.5晶体管的非理想现象.mp4
[9.16.1]--9.3.6实际晶体管的输入、输出特性.mp4
[9.18.1]--9.4.1晶体管的反向电流.mp4
[9.19.1]--9.4.2晶体管的反向击穿电压.mp4
[9.20.1]--9.4.3晶体管穿通电压.mp4
[9.22.1]--9.5.1Ebers-Moll方程.mp4
[9.23.1]--9.5.2实际晶体管模型.mp4
[9.25.1]--9.6.1晶体管的放大作用.mp4
[9.26.1]--9.6.2低频交流小信号等效电路.mp4
[9.27.1]--9.6.3放大系数的频率特性.mp4
[9.29.1]--9.7.1晶体管的开关作用.mp4
[9.30.1]--9.7.2晶体管开关时间.mp4
[10.2.1]--10.1.1表面的特殊性.mp4
[10.3.1]--10.1.2理想表面.mp4
[10.4.1]--10.1.3真实表面.mp4
[10.6.1]--10.2.1空间电荷层.mp4
[10.7.1]--10.2.2空间电荷层中的泊松方程.mp4
[10.8.1]--10.2.3半导体表面电场_电势和电容.mp4
[10.9.1]--10.2.4半导体表面层的五种基本状态.mp4
[10.11.1]--10.3.1Si-SiO2系统中的电荷状态.mp4
[10.13.1]--10.4.1MIS电容结构的能带图.mp4
[10.14.1]--10.4.2理想MIS电容的C－V特性1.mp4
[10.14.2]--10.4.2理想MIS电容的C－V特性2.mp4
[10.15.1]--10.4.3实际MIS电容的C－V特性.mp4
[10.17.1]--10.5.1表面电导.mp4
[11.2.1]--11.1.1MOSFET的结构.mp4
[11.3.1]--11.1.2MOSFET简介.mp4
[11.4.1]--11.1.3MOSFET的基本工作原理.mp4
[11.5.1]--11.1.4MOSFET的分类和符号.mp4
[11.6.1]--11.1.5MOSFET的输出特性和转移特性.mp4
[11.8.1]--11.2.1半导体的表面状态.mp4
[11.9.1]--11.2.2阈值电压的表达式.mp4
[11.10.1]--11.2.3影响VT的因素.mp4
[12.2.1]--12.1.1MOSFET非平衡时的能带图.mp4
[12.3.1]--12.1.2IDS~VDS的关系.mp4
[12.4.1]--12.1.3MOSFET的亚阈值特性.mp4
[12.5.1]--12.1.4MOSFET直流参数.mp4
[12.6.1]--12.1.5MOSFET的二级效应.mp4
[12.7.1]--12.1.6击穿特性.mp4
[12.9.1]--12.2.1交流小信号等效电路.mp4
[12.10.1]--12.2.2高频特性.mp4
[12.12.1]--12.3.1电阻型负载MOS倒相器.mp4
[12.13.1]--12.3.2增强型-增强型MOS倒相器（E-EMOS）.mp4
[12.14.1]--12.3.3增强型-耗尽型MOS倒相器（E-DMOS）.mp4
[12.15.1]--12.3.4互补MOS倒相器（CMOS）.mp4
[12.17.1]--12.4.1按比例缩小规律概述.mp4
[12.18.1]--12.4.2MOSFET的scaling规则.mp4