- 0.1化学键性质与相应的晶体结构(I)
- 0.2化学键性质与相应的晶体结构(II)
- 0.3化学键性质与相应的晶体结构(III)
- 0.4化学键性质与相应的晶体结构(IV)
- 0.5金刚石结构的各向异性(I)
- 0.6金刚石结构的各向异性(II)
- 0.7金刚石结构的各向异性(III)
- 0.8砷化镓晶体的极性1
- 0.9砷化镓晶体的极性2
- 0.10砷化镓晶体的极性3
- 1.1半导体中的电子状态与能带(1)--1
- 1.1半导体中的电子状态与能带(1)--2
- 1.1半导体中的电子状态与能带(2)--1
- 1.1半导体中的电子状态与能带(2)--2
- 1.1半导体中的电子状态与能带(3)--1
- 1.1半导体中的电子状态与能带(3)--2
- 1.2半导体中电子的运动 有效质量1
- 1.2半导体中电子的运动 有效质量2
- 1.3本征半导体的导电机制 空穴1
- 1.3本征半导体的导电机制 空穴2
- 1.4回旋共振(2)1
- 1.4回旋共振(2)2
- 1.5Si和Ge的导带结构1
- 1.5Si和Ge的导带结构2
- 1.6III-V族化合物半导体的能带结构1
- 1.6III-V族化合物半导体的能带结构2
- 2.1Si和Ge中的杂质能级(III)1
- 2.1Si和Ge中的杂质能级(III)2
- 2.1Si和Ge中的杂质能级1
- 2.1Si和Ge中的杂质能级2
- 2.2III-V族化合物半导体中的杂质和缺陷能级
- 2.3缺陷 位错能级
- 3.1状态密度1
- 3.1状态密度2
- 3.2费米能级1
- 3.2费米能级2
- 3.4杂质半导体中的载流子浓度1
- 3.4杂质半导体中的载流子浓度2
- 5.7载流子的漂移运动 爱因斯坦关系
- 预备性知识1
- 预备性知识2
- 预备性知识3
- 预备性知识4
- 预备性知识5
- 预备性知识6
- 预备性知识7
- 预备性知识8
- 7.1金属与半导体接触及其能带图1
- 7.1金属与半导体接触及其能带图2
- 7.2金属半导体整流理论1
- 7.2金属半导体整流理论2
- 7.3少数载流子注入和欧姆接触1
- 7.3少数载流子注入和欧姆接触2
- 8.2表面电场效应1
- 8.2表面电场效应2
- 8.3MIS结构的电容-电压特性
- 8.4Si-SiO2系统的性质
- 8.5表面电导及迁移率
- 8.6表面电场对PN结特性的影响1
- 8.6表面电场对PN结特性的影响2
- 9.1异质结及其能带图
- 9.2异质结的电流输运机构1
- 9.2异质结的电流输运机构2
- 9.3异质结在器件中的应用
- 9.4半导体超晶格
- 10.1半导体的光学常数
- 10.2 半导体的光吸收1
- 10.2 半导体的光吸收2
- 10.2 半导体的光吸收3
- 10.3半导体的光电导1
- 10.3半导体的光电导2
- 10.4 半导体的光生伏特效应
- 10.5半导体发光1
- 10.5半导体发光2
- 10.6半导体激光1
- 10.6半导体激光2
- 10.7半导体光电探测器
- 11.0半导体的热点性质
- 12.1霍尔效应1
- 12.1霍尔效应2
- 12.2磁阻效应1
- 12.2磁阻效应2
- 12.5热磁效应
- 12.6光电磁效应1
- 12.6光电磁效应2
- 12.7压阻效应
本课程围绕半导体物理基础理论和半导体主要性质,共分为四部分,七章。前两章为第一部分,介绍半导体物理的基础知识,包括半导体的晶体结构、量子力学初步概要、价键模型、半导体的电子结构;第二部分由两章组成,分别定性、定量阐述半导体中的载流子;第三部分由一章构成,描述三维半导体中的电输运;第四部分讨论半导体的结,阐述金属-半导体的接触、半导体表面效应和MIS结构。同时为大家带来一系列习题的解析。
1.半导体中的电子状态 半导体的晶格结构和结合性质;半导体中的电子状态和能带;半导体中电子的运动、有 效质量;本征半导体的导电机构、空穴;回旋共振;硅和锗的能带结构;Ⅲ–Ⅴ族化合物半 导体的能带结构;Ⅱ–Ⅵ族化合物半导体的能带结构;Si1-xGex 合金的能带;宽禁带半导体 材料。 2.半导体中杂质和缺陷能级 硅、锗晶体中的杂质能级;Ⅲ–Ⅴ族化合物中的杂质能级;氮化镓、氮化铝、碳化硅中 的杂质能级;缺陷、位错能级。 3.半导体中载流子的统计分布 状态密度;费米能级和载流子的统计分布;本征半导体的载流子浓度;杂质半导体的载 流子浓度;一般情况下的载流子统计分布;简并半导体;电子占据杂质能级的概率。 4.半导体的导电性 载流子的漂移运动和迁移率;载流子的散射;迁移率与杂质浓度和温度的关系;电阻率 及其与杂质浓度和温度的关系;玻耳兹曼方程、电导率的统计理论;强电场下的效应、热载 流子;多能谷散射、耿氏效应。
5.非平衡载流子 非平衡载流子的注入与复合;非平衡载流子的寿命;准费米能级;复合理论;陷阱效应; 载流子的扩散运动;载流子的漂移扩散,爱因斯坦关系式;连续性方程式;硅的少数载流子 寿命与扩散长度。 6.pn 结 pn 结及其能带图;pn 结电流电压特性;pn 结电容;pn 结击穿;pn 结隧道效应。 7.金属和半导体接触 金属半导体接触及其能级图;金属半导体接触整流理论;少数载流子的注入和欧姆接触。 8.半导体表面和 MIS 结构 表面态;表面电场效应;MIS 结构的 C–V 特性;硅–二氧化硅系统的性质;表面电导 及迁移率;表面电场对 pn 结特性的影响。 9.半导体异质结构 半导体异质结及其能带图;半导体异质 pn 结的电流电压特性及注入特性;半导体异质 结量子阱结构及其电子能态与特性;半导体应变异质结构;GaN 基半导体异质结构;半导 体超晶格。 10.半导体的光学性质和光电与发光现象 半导体的光学常数;半导体的光吸收;半导体的光电导;半导体的光生伏特效应;半导 体发光;半导体激光;半导体异质结在光电子器件中的应用。 11.半导体的热电性质 热电效应的一般描述;半导体的温差电动势率;半导体的珀耳帖效应;半导体的汤姆逊 效应;半导体的热导率;半导体热电效应的应用。