本书系《先进陶瓷丛书》之一，在综述国内外先进结构陶瓷及其复合材料研究现状的基础上，从材料学的角度，分别阐述了其结构、性能、特点及其应用，并在此基础上结合作者多年的研究成果全面系统地介绍了铁—铝金属间化合物/氧化锆陶瓷基结构复合材料的设计、制备、组织结构、性能及其相互关系等方面的研究成果，并对该类复合材料的强韧化机制进行了分析总结。读者对象
陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。
氮化铝陶瓷无毒性，具有高的热导率、高的绝缘性和良好的微波毫米波特性，是高功率、高密度和高速电路所用的高性能封装材料。目前氮化铝陶瓷封装已经用于各种器件和集成组件中，如微波大功率器件、高温高功率电子器件、高性能T/R模块等。近年来随着氮化铝陶瓷制备技术的不断成熟，具有导热率在140~230W/m.k的氮化铝已显示取代氧化铝(氧化铝导热率约为19W/m.k)陶瓷的强劲趋势。氮化铝还有一个优势在于起热膨胀系数与砷化镓匹配，能更好的与半导体材料附着。氮化铝的热性能受气孔率和杂质的影响严重，一般高导热率的致密氮化铝陶瓷仅能通过热压烧结或添加氧化钙和氧化钇的无压烧结工艺获取。添加剂在烧结时是以形成液相促进致密化，钙铝石或钇铝石能够吸收氧杂质。