- 1.1.1 微电子工艺是讲什么的?
- 1.2.1 微电子工艺的发展历程如何?
- 1.3.1 微电子工艺有什么特点?
- 1.4.1 单晶硅特性(上)
- 1.4.2 单晶硅特性(中)
- 1.4.3 单晶硅特性(下)
- 2.1.1 多晶硅制备;1.2单晶生长-CZ法
- 2.2.1 单晶生长-原理
- 2.3.1 单晶生长-掺杂
- 2.4.1 单晶生长-MCZ与FZ法
- 2.5.1 硅片的加工
- 2.5.2 硅片介绍
- 3.1.1 外延概述
- 3.2.1 气相外延-1硅工艺
- 3.2.2 气相外延-2原理
- 3.2.3 气相外延-3速率
- 3.2.4 气相外延-4掺杂
- 3.2.5 气相外延-5设备与技术
- 3.3.1 分子束外延
- 3.4.1 其它外延方法
- 3.5.1 外延层缺陷及检测
- 3.5.2 电阻率测量
- 4.1.1 概述-1性质与用途
- 4.1.2 概述-2杂质与掩蔽
- 4.2.1 硅热氧化-1工艺
- 4.2.2 硅的热氧化-2机理
- 4.2.3 硅的热氧化-3DG模型
- 4.2.4 硅的热氧化-4速率
- 4.2.5 硅热氧化-5影响因素
- 4.3.1 初始氧化
- 4.4.1 杂质再分布-1分凝
- 4.4.2 杂质再分布-2硅表面浓度
- 4.5.1 氧化层检测-1厚度
- 4.5.2 氧化层检测-2成膜质量
- 4.5.3 氧化层厚度估测实验
- 4.6.1 其它氧化方法
- 5.1.1 扩散机构
- 5.2.1 扩散方程-1菲克定律
- 5.2.2 扩散方程-2扩散系数
- 5.3.1 扩散掺杂-1恒定源
- 5.3.2 扩散掺杂-2限定源
- 5.4.1 影响杂质分布因素-1点缺陷
- 5.4.2 影响杂质分布因素-2氧化增强
- 5.4.3 影响杂质分布因素-3发射区推进
- 5.5.1 扩散条件与方法-1方法选择
- 5.5.2 扩散条件与方法-2扩散工艺
- 5.6.1 质检与测量-1结深
- 5.6.2 质检与测量-2表面浓度
- 5.6.3 pn结结深测量实验
- 5.7.1 扩散工艺的发展
- 6.1.1 离子注入概述
- 6.2.1 离子注入原理-1
- 6.2.2 离子注入原理-2
- 6.2.3 离子注入原理-3
- 6.3.1 注入离子分布-1,2分布
- 6.3.2 注入离子分布-3沟道效应
- 6.3.3 注入离子分布-4其它影响
- 6.4.1 注入损伤-1
- 6.4.2 注入损伤-2
- 6.5.1 退火-1热退火
- 6.5.2 退火-2快速退火
- 6.6.1 设备与工艺
- 6.7.1 应用
- 6.8.1 掺杂新技术
- 7.1.1 CVD概述
- 7.2.1 CVD原理-1过程
- 7.2.2 CVD原理-2速率
- 7.2.3 CVD原理-3质量
- 7.3.1 CVD工艺方法-1AP-2LP
- 7.3.2 CVD工艺方法-3等离子体(上)
- 7.3.3 CVD工艺方法-3等离子体(下)
- 7.3.4 CVD工艺方法-4PE-5HDP
- 7.4.1 二氧化硅薄膜-1性质
- 7.4.2 二氧化硅薄膜-2制备
- 7.5.1 氮化硅薄膜
- 7.6.1 多晶硅薄膜
- 7.7.1 CVD金属及金属化合物薄膜
- 8.1.1 PVD-1概述
- 8.2.1 PVD-1真空简介
- 8.2.2 PVD-2真空的获得
- 8.3.1 蒸镀-1原理
- 8.3.2 蒸镀-2设备、工艺
- 8.3.3 蒸镀-3质量
- 8.4.1 溅射-1原理
- 8.4.2 溅射-2方法
- 8.4.3 溅射-3质量
- 8.5.1 PVD金属及化合物薄膜
- 9.1.1 光刻概述
- 9.2.1 光刻 02--光刻技术 xiugaizhonggao
- 9.3.1 光刻掩膜板制造技术
- 9.4.1 光刻 8.3.2--光刻胶
- 9.5.1 光刻 8.3.3--紫外曝光技术
- 9.6.1 光刻 8.3.4 --光刻增强技术
- 9.7.1 其它曝光技术
- 9.7.2 其它曝光技术(2)
- 9.8.1 光刻新技术展望
- 10.1.1 刻蚀技术--概述
- 10.2.1 湿法刻蚀技术
- 10.3.1 刻蚀技术-- 干法刻蚀技术
- 10.4.1 刻蚀技术-- SiO2薄膜的干法刻蚀技术
- 10.5.1 刻蚀技术-- 多晶硅等其它薄膜的干法刻蚀技术
- 11.1.1 工艺集成--金属化与多层互连
- 11.2.1 工艺集成--金属化之尖楔现象
- 11.3.1 工艺集成--集成电路中的隔离技术
- 11.4.1 CMOS集成电路的工艺集成
- 11.5.1 双极型集成电路的工艺集成
本课程是“电子信息科学与技术”、“微电子科学与工程”等专业的核心课程。全面系统地介绍了微电子工艺基础知识,重点阐述了芯片制造单项工艺,包括:外延、热氧化、扩散、离子注入、化学汽相淀积、物理汽相淀积、光刻、刻蚀。还介绍了金属互连、典型工艺集成、关键工艺设备,以及微电子工艺未来发展趋势。通过本课程的学习能使学生对微电子工艺技术有全面了解,为后续专业课程学习打下坚实基础。也利于学生专业素养的提高。
微电子制造工艺在微电子整体产业中处于中游阶段(上游是电路设计,下游是封装测试)。一个芯片的制造能否达到设计要求,与制造工艺有很大的关系,因此有必要对工艺线的流程为大家说明讲清楚。我们手中使用的mobilephone,camera,ipad 内部电路板上焊接的形状各异外形诡异的小芯片都是如何造出来?想必大家都是有兴趣知道的。即使没有电子工程的基础,通过我的讲解也是可以,你对这个最精密自动化程度最高的行业有一个清晰的轮廓。
IC(integrate circuit)的制造分为前工序和后工序。
前工序:IC制造工程中,晶圆光刻的工艺(即所调流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术。
